O836Si Oxygen by Inert Gas Fusion Infrared Detection for Silicon Wafers

Oxygen
LECO O836si

TOUCH SCREEN

O836Si with touch-screen operation

Présentation

Le O836Si a été conçu pour satisfaire la sensibilité et la haute précision exigées par l’industrie du silicium lors d’analyse de faibles concentrations. En combinant la sensibilité inégalée de notre système de détection infrarouge avec notre nouveau système d’introduction d’échantillons et notre four à électrode programmable, le O836Si offre justesse et répétabilité pour la mesure d’oxygène dans des matériaux tels que les plaques de silicium. La sensibilité pour l’analyse de trace et la haute précision sont également utiles dans l’industrie des métaux, notamment, pour la détermination de l’oxygène dans du cuivre de haute pureté pour l’industrie électronique.

Spécificités

  • Détection infrarouge (IR) de haute précision pour les faibles concentrations
  • Four à électrode contrôlé en puissance ou en courant
  • Justesse et répétabilité même pour des concentrations inférieures au ppm
  • Réactifs protégés
  • Maintenance réduite par une amélioration du circuit gazeux
  • Résultat d’oxygène fourni en ppma

Fonctionnement

SILICON WAFER LOADING

Sample loading head designed for consistent sample loading, low atmospheric blank and high carrier gas purity. Silicon wafers are consistently loaded in the furnace with the chute design of the loading head. Dual seals, a magnetic loading mechanism and integrated oxygen/moisture scrubber promote a near zero atmospheric blank and maintain optimal carrier gas purity.

Documentation

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